Компания SK hynix разработала новый технологический процесс, позволяющий создавать модули HBM3 большей емкости. Новая 12-слойная технология позволяет создавать стеки памяти емкостью до 24 Гбайт, что на 50% больше, чем в предыдущем поколении стеков емкостью 16 Гбайт.
SK hynix представляет новую 12-слойную память HBM3
Одной из главных проблем при добавлении дополнительных слоев в стек HBM3 является его высота. Если высота стека меняется, то это означает, что для установки новых модулей памяти на чипы и подложки могут потребоваться передовые методы упаковки.
Для решения этой проблемы инженеры SK hynix используют технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) для последнего поколения, а также технологию Through Silicon Via (TSV). Это означает, что каждый чип DRAM стал тоньше, что позволило обеспечить емкость 24 Гбайт при той же высоте, что и у предыдущего поколения — 16 Гбайт.
Технология TSV используется во многих микросхемах, но если вы не знакомы с MR-MUF или Mass Reflow Molded Underfill, то SK hynix описывает ее следующим образом: Метод размещения нескольких микросхем на нижней подложке и их одновременного склеивания путем расплавления, а затем одновременного заполнения зазора между микросхемами или между микросхемой и подложкой материалом пресс-формы.
Новое поколение улучшает 8-слойный продукт HBM3 емкостью 16 ГБ, а 12-слойный — 24 ГБ.
Последние слова
По словам SK hynix, она уже отгрузила образцы ряду заказчиков. Подобная технология позволяет увеличивать объем памяти в таких графических процессорах, как NVIDIA H100 и других. Увеличение памяти позволяет хранить больше данных на кристалле, а на платах HGX H100 — ограничивать доступ к данным вне кристалла или вне NVLink. Конечно, стеки HBM в ускорителях используют и многие другие производители, так что это далеко не единственная технология NVIDIA. Тем не менее, увеличение емкости при той же площади поможет создавать более производительные устройства памяти.