Компания SK Hynix представила первый в мире чип флэш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями ячеек, а именно 321 слоем. Разработка флэш-памяти TLC NAND емкостью 1 терабит на бумаге называется 4D NAND, но по сути это просто размещение КМОП-логики под ячейками, а не рядом с ними. Что касается технологической основы, то компания достигла указанного слоя ячеек с помощью двух массивов NAND.
По словам представителей южнокорейской компании, новая конструкция повышает эффективность производства на 59% по сравнению с предыдущим поколением с 238 слоями ячеек, что является значительным улучшением.
Кроме того, новая конструкция увеличивает плотность битов до более чем 20 гигабит на мм², что почти вдвое больше, чем у предыдущей конструкции, и позволяет значительно уменьшить занимаемую площадь на единицу объема памяти.
SK Hynix уже поставляет образцы новой микросхемы флэш-памяти NAND, поэтому партнеры уже разрабатывают конкретные устройства хранения данных, которые будут основаны на новой системе.